技術指標：

1. 腔體結構

1.1. 配置不銹鋼STM分析腔，配備離子泵、機械泵、真空規等泵抽系統，背景真空優于1*10^-9 mbar

1.2配備不銹鋼快速進樣室，配備泵抽系統，背景真空優于5*10^-8mbar

2 近常壓變溫掃描頭

2.1 最大掃描范圍不小于1.0 μm x 1.0 μm（T＞350K）。

2.2 X/Y方向的補償范圍：≥±750nm；Z方向為±115nm；

*2.3 氣壓工作范圍，不小于UHV-100 mbar

*2.4 溫度控制范圍：UHV條件下，不小于220K-700K，10 mbar壓力下， 不小于RT-500K。

*2.5 低溫下（150 K< T

*2.6 掃描頭機械穩定性（針尖固定位置不動，在恒壓恒流模式下，Z中噪音的峰峰值）：< 5 pm。

2.7 配備近常壓進氣氣路

2.8配置溫度控制單元和樣品轉移機械手

3 STM控制器

3.1匹配前放增益1V/nA。

3.2隧穿電流范圍：不小于0.01nA–50nA。

*3.3具有快速掃描功能，數據獲取速度：不低于1000000像素/秒。

3.4 配備配套軟件和數據處理系統一套

4 針尖刻蝕離子源

4.1用于針尖原位處理，離子能量范圍最大：不小于5 keV。

4.2離子束流（Ar氣）最大值：≥ 20 μA。