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技術文章

方塊電阻測試儀技術指標.

閱讀:1613          發布時間:2021-7-20
本設備采用四探針法專用于金屬薄膜方塊電阻,HD-KDB-2B 測試儀嚴格參照國際標準
SEMI MF 374-0307 對設備的要求研制,運用了*半導體薄層測量技術,無需特別制
樣,可測不規則的金屬薄膜。
技術指標:方塊電阻測量范圍(3 位有效數字):0.00001-0.3Ω/□。
測量電流分兩檔:100mA 和 1000mA。
最小分辨率:0.00001Ω/□。
試樣尺寸:直徑大于 32mm。
試樣厚度:t≤5μm(約)。
探針間距:1.59mm。
成套設備包含:
HD-KDB-2B 主機 一臺
HD-KDJ-1A 手動測試架 一臺
HD-KDT-5 紅寶石四探針頭 一個
電源線 一根
四探針頭連接線 一根
選購件:
微控制器及配套測試系統 一套
本設備采用四探針法專用于金屬薄膜方塊電阻,HD-KDB-2B 測試儀嚴格參照國際標準
SEMI MF 374-0307 對設備的要求研制,運用了*半導體薄層測量技術,無需特別制
樣,可測不規則的金屬薄膜。
技術指標:方塊電阻測量范圍(3 位有效數字):0.00001-0.3Ω/□。
測量電流分兩檔:100mA 和 1000mA。
最小分辨率:0.00001Ω/□。
試樣尺寸:直徑大于 32mm。
試樣厚度:t≤5μm(約)。
探針間距:1.59mm。
成套設備包含:
HD-KDB-2B 主機 一臺
HD-KDJ-1A 手動測試架 一臺
HD-KDT-5 紅寶石四探針頭 一個
電源線 一根
四探針頭連接線 一根
選購件:
微控制器及配套測試系統 一套

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

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