mr-NIL200-100nm 納米壓印光刻膠 mr-NIL200 系列
產品亮點
l自粘附特性:無需額外底涂劑(Primer),直接適用于硅、藍寶石等多種基材,簡化工藝流程,降低成本。
l高兼容性:專為氣密性硬質印章(如石英、玻璃、OrmoStamp®)優化,確保圖案轉移的高保真度。
l快速光固化:在 320–420 nm 紫外光下高效固化,氧氣干擾極低,適合工業化量產環境。
l精準膜厚控制:提供 100 nm、200 nm、300 nm 三種標準厚度,支持定制稀釋(推薦稀釋劑 mr-T 1078)。
為什么選擇 mr-NIL200?
? Excellence的刻蝕掩模性能:純有機配方,無硅殘留,與反應離子刻蝕(RIE)工藝Perfection匹配,實現高分辨率圖案轉移。
? 工藝靈活性:適配主流納米壓印設備(如 EV Group、SUSS MicroTec),支持低壓力(<100 mbar)壓印,減少缺陷風險。
? 即用型配方:開瓶即用,旋涂后 60°C 預烘 3 分鐘 即可進入壓印步驟,大幅提升生產效率。
典型應用場景
l半導體器件:納米線、光子晶體結構的批量制造。
l光學元件:AR/VR 衍射光柵、微透鏡陣列的圖案化。
l生物傳感器:高精度微流控芯片的快速 prototyping。
技術參數速覽
特性 | mr-NIL200-100nm | mr-NIL200-200nm | mr-NIL200-300nm |
膜厚(nm) | 100 ± 15 | 200 ± 20 | 300 ± 25 |
動態粘度(mPa·s) | 1.3 ± 0.2 | 1.4 ± 0.2 | 1.6 ± 0.2 |
折射率(589 nm) | 1.435 | 1.438 | 1.441 |
使用須知
l存儲條件:需冷藏保存(4°C),使用前恢復至室溫,避免冷凝污染。
l安全環保:無鹵素溶劑,廢棄按有機溶劑處理,符合環保標準。
l后處理:殘余層可通過 O? 等離子體 或 熱硫酸(Piranha) Thorough去除。