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什么是半導(dǎo)體晶圓？半導(dǎo)體晶圓是一種非常薄的平板，通常在半導(dǎo)體制造過(guò)程中由單晶硅制成。硅片是極薄而小的板材，量產(chǎn)的硅片直徑一般為8英寸（200毫米）或12英寸（300毫米）。順便說(shuō)一句，4英寸（100毫米）或更小的直徑專門用于研究目的。我們的薄膜成型設(shè)備基本上都是4英寸（100毫米）。半導(dǎo)體晶圓在現(xiàn)代電子設(shè)備和信息技術(shù)中發(fā)揮著至關(guān)重要的作用。這些薄盤狀基板是半導(dǎo)體器件制造的基礎(chǔ)，也是構(gòu)建先進(jìn)電子電路的基礎(chǔ)。為什么我們需要半導(dǎo)體晶圓半導(dǎo)體集成電路（IC）與晶圓密切相關(guān)。半導(dǎo)體集成電路將許多元件集成到
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什么是SiC半導(dǎo)體？SiC（碳化硅）是一種由硅和碳制成的化合物半導(dǎo)體，由于其優(yōu)異的性能在功率器件領(lǐng)域受到關(guān)注。Si是我們常見(jiàn)的半導(dǎo)體主流材料，但SiC有望成為性能超越Si的下一代半導(dǎo)體材料。與硅類似，SiC可以形成柵氧化膜(SiO2)和p型層。因此，可以直接應(yīng)用在硅中開(kāi)發(fā)的MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）的結(jié)構(gòu)。這加速了SiC功率器件的發(fā)展，并使其在短時(shí)間內(nèi)實(shí)現(xiàn)商業(yè)化成為可能。SiC半導(dǎo)體的特性和優(yōu)點(diǎn)功率半導(dǎo)體的性能由多種物理特性的平衡決定，包括擊穿場(chǎng)強(qiáng)、遷移率和導(dǎo)熱率。“Varig
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什么是阻抗匹配？阻抗匹配是指使電路中發(fā)送和接收信號(hào)的設(shè)備的電阻盡可能相似。簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)，就是為了使電力流通順暢而進(jìn)行的調(diào)整工作。阻抗是一個(gè)電氣術(shù)語(yǔ)，指的是交流電路中的電阻分量。直流電路中的電阻稱為電阻（R），但在交流電路中，除了電阻之外，電感（線圈）和電容器也充當(dāng)電阻。所有這些統(tǒng)稱為阻抗（Z）。在處理高頻信號(hào)時(shí)，阻抗匹配尤其重要。高頻信號(hào)即使對(duì)微小的變化也會(huì)做出敏感的反應(yīng)，因此即使阻抗的微小偏差也會(huì)產(chǎn)生很大的影響。如果我們將阻抗匹配與水流進(jìn)行比較......水流電流電流軟管電路軟管厚度阻抗如果連接不
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支持半導(dǎo)體制造的超純水是什么？清洗工序約占半導(dǎo)體制造工序的30%，采用“超純水”（UPW），最大限度地去除雜質(zhì)。超純水是通過(guò)最大限度地去除天然水中的雜質(zhì)而得到凈化的水。自來(lái)水中含有溶解的各種物質(zhì)，包括鈣、鎂等礦物質(zhì)以及氯等消毒劑。這些雜質(zhì)會(huì)嚴(yán)重?fù)p害半導(dǎo)體制造等精密工藝中的產(chǎn)品質(zhì)量。因此，在半導(dǎo)體制造等要求高純度的領(lǐng)域，去除有機(jī)物、微粒、溶解氣體等，使離子更接近氫離子（H+）和氫氧根離子（OH-）。被使用。半導(dǎo)體制造涉及一系列復(fù)雜的工藝，需要極其先進(jìn)的技術(shù)。超純水是該制造過(guò)程的重要組成部分。在半導(dǎo)
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什么是渦輪分子泵？渦輪分子泵的特點(diǎn)渦輪分子泵是真空泵的一種，由高速旋轉(zhuǎn)的轉(zhuǎn)子葉片和靜止的固定葉片組成。轉(zhuǎn)子葉片以每秒數(shù)萬(wàn)次的驚人速度旋轉(zhuǎn)，通過(guò)使氣體分子飛走而形成真空。然而，這種高速旋轉(zhuǎn)會(huì)給處于大氣壓下的轉(zhuǎn)子葉片帶來(lái)很大的負(fù)載，從而造成損壞。因此，渦輪分子泵必須在預(yù)先已形成一定真空度的環(huán)境中使用，并與干泵或旋轉(zhuǎn)泵等輔助泵組合使用。優(yōu)點(diǎn)渦輪分子泵在半導(dǎo)體制造工藝中展示了其真正的價(jià)值。高速旋轉(zhuǎn)的刀片快速排出在硅片上形成精細(xì)電路圖案時(shí)產(chǎn)生的氣體，從而可以制造高質(zhì)量的半導(dǎo)體器件。此外，在科學(xué)研究領(lǐng)域，我
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神港精機(jī)SHINKO SEIKI --ICP金屬蝕刻設(shè)備
神港精機(jī)SHINKOSEIKI--ICP金屬蝕刻設(shè)備這是以納米壓印模具用ICP蝕刻系統(tǒng)“SERIO”的基本結(jié)構(gòu)為基礎(chǔ)，針對(duì)金屬定制了腔室內(nèi)部結(jié)構(gòu)和氣體系統(tǒng)的最新蝕刻系統(tǒng)。兼容最新的半導(dǎo)體和MEMS工藝，我們實(shí)現(xiàn)了Al和Cr的納米級(jí)線寬蝕刻。與傳統(tǒng)的SERIO相比，它可以蝕刻廣泛的基材和應(yīng)用，包括除Si晶圓之外的基材、藍(lán)寶石和GaAs等化合物半導(dǎo)體晶圓、光掩模用玻璃和石英。與8英寸晶圓兼容的裝載鎖定類型是標(biāo)準(zhǔn)配置，并且可以根據(jù)工藝進(jìn)行定制，例如加熱臺(tái)和更大的腔室。與經(jīng)過(guò)驗(yàn)證的多室系統(tǒng)相結(jié)合，可以非 -
SHINKO SEIKI神港--電弧絲式離子鍍裝置（AF-IP裝置）
SHINKOSEIKI神港--電弧絲式離子鍍裝置（AF-IP裝置）這是一種新型離子鍍?cè)O(shè)備，利用PVD實(shí)現(xiàn)了過(guò)去只能利用CVD才能實(shí)現(xiàn)商業(yè)化的膜類型（厚氧化膜、碳化膜等）。“電弧燈絲型離子鍍裝置”通過(guò)蒸發(fā)粒子與蒸發(fā)源上的熱電子碰撞，有效地使蒸發(fā)粒子離子化。此外，通過(guò)引入的氣體與電離的蒸發(fā)顆粒之間的反應(yīng)，可以形成各種致密且高粘附性的反應(yīng)膜(氮化物膜、氧化物膜、碳化物膜、碳氮化物膜)。現(xiàn)在可以形成厚的氧化膜，這對(duì)于傳統(tǒng)的電弧放電離子鍍?cè)O(shè)備來(lái)說(shuō)是困難的。可以使用電弧絲型離子鍍?cè)O(shè)備形成的新型PVD薄膜預(yù)計(jì) -
ULVAC愛(ài)發(fā)科--什么是液氮發(fā)生器
ULVAC愛(ài)發(fā)科--什么是液氮發(fā)生器液氮發(fā)生器一貫以來(lái)"氮?dú)赓?gòu)買"的固定概念，是一種通過(guò)"制作液氮"的方法帶來(lái)便利性和穩(wěn)定性等眾多優(yōu)點(diǎn)的劃時(shí)代的液氮制備裝置。液氮發(fā)生器通過(guò)直接連接用于保存細(xì)胞等生物樣本的液氮凍結(jié)保存容器，能夠?qū)崿F(xiàn)持續(xù)的液氮供給。而且，通過(guò)安裝備用電源，發(fā)生災(zāi)害時(shí)即使沒(méi)有電力供應(yīng)也可以進(jìn)行持續(xù)的液氮供給。針對(duì)非常貴重的樣品也能夠提供穩(wěn)定的冷凍保存。液氮發(fā)生器已經(jīng)得到了各大民間企業(yè)、大學(xué)研究所的認(rèn)可，在iPS細(xì)胞·組織·病毒·畜產(chǎn)相關(guān)的人工授精等的冷凍保存容器有廣泛的應(yīng)用。液氮發(fā)生
