我們將解釋CMP設(shè)備的工作原理。 CMP設(shè)備通常一次高速加工許多硅片，因此通常是大型設(shè)備。其組成部分包括旋轉(zhuǎn)臺(tái)、施加化學(xué)物質(zhì)的噴嘴和砂紙拋光部分等。此外，還有用于傳送硅片的機(jī)器人、拋光后的清潔部分和檢測(cè)部分等。

基本操作是從噴嘴將化學(xué)溶液或化學(xué)品噴射到硅片上，將砂紙等壓在硅片上，并通過高速旋轉(zhuǎn)旋轉(zhuǎn)臺(tái)進(jìn)行拋光。化學(xué)拋光目標(biāo)包括氧化膜、鎢布線和銅布線。在氧化膜的情況下，將氧化膜溶解在堿性溶液中并用相同組成的氧化硅進(jìn)行拋光。對(duì)于鎢布線來說，鎢表面經(jīng)過氧化，表面用氧化硅拋光。對(duì)于銅布線，將銅氧化后，制成復(fù)合物，并用氧化硅進(jìn)行拋光。

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