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3μm MCT 中紅外非制冷光電探測器
  • 3μm MCT 中紅外非制冷光電探測器
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貨物所在地:上海上海

更新時間:2025-01-23 21:00:07

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3μm MCT 中紅外非制冷光電探測器 2.5-6.5μm HgCdTe器件在λ_opt時達到好性能。波長分割可根據需求進行優化。反向偏置電壓可以在顯著提高響應速度和動態范圍的同時提高高頻下的性能,但偏置器件中出現的1/f噪聲在低頻下可能會降低探測器的性能。
3μm MCT 中紅外非制冷光電探測器 2.5-6.5μm HgCdTe總覽

PV系列是基于復雜的HgCdTe異質結構的非制冷紅外光探測器,具有好的性能和穩定性。器件在λ_opt時達到好性能。波長分割可根據需求進行優化。反向偏置電壓可以在顯著提高響應速度和動態范圍的同時提高高頻下的性能,但偏置器件中出現的1/f噪聲在低頻下可能會降低探測器的性能。

3μm MCT 中紅外非制冷光電探測器 2.5-6.5μm HgCdTe產品特點

● 可探測中紅外光波范圍2.5-6.5μm

● 可配專用前置放大器

● 提供TO39與BNC兩種封裝形式

封裝及尺寸

BNC型封裝及尺寸

參量

數值

光敏面積AOmm×mm

0.05×0.05-0.1×0.1

孔徑C,mm

Φ4

接收角度Φ

~102°


TO39型封裝及尺寸

TO39-引腳定義

引腳定義

功能

引腳號

探測器

1 , 2 

接地

3

產品應用

● 醫學熱成像

● 紅外光譜分析

● 中紅外氣體吸收檢測

● 中紅外激光探測

技術參數

參數

探測器型號

PV-3

PV-3.4

PV-4

PV-5

PV-6

有源元件材料

外延MCT異質結構

最佳波長λopt(μm)

3

3.4

4

5

6

相對響應強度D* (λpeak),cm·Hz1/2/W

≥8.0×109

≥7.0×109

≥5.0×109

≥2.0×109

≥1.0×109

相對響應強度D* (λopt),cm·Hz1/2/W

≥6.5×109

≥5.0×109

≥3.0×109

≥1.0×109

≥5.0×108

電流響應度Ri(λopt),A/W

≥0.5

≥0.8

≥1.0

≥1.0

≥1.0

時間常數T,ns

≤350

≤260

≤150

≤120

≤180

電阻×光敏面面積R·A,Ω?cm^2

≥1

≥0.5

≥0.1

≥0.01

≥0.002

感光面尺寸A,mm×mm

0.05×0.05,0.1×0.1

封裝

TO39

BNC

TO39

BNC

TO39

BNC

TO39

BNC

TO39

BNC

接收角?

~90°

~102°

~90°

~102°

~90°

~102°

~90°

~102°

~90°

~102°

窗口


探測器光譜響應特性曲線

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