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MCT中紅外兩級TE冷卻光浸式多結光伏探測器
  • MCT中紅外兩級TE冷卻光浸式多結光伏探測器
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貨物所在地:上海上海

更新時間:2025-01-23 21:00:07

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2 - 13 μm , MCT中紅外兩級TE冷卻光浸式多結光伏探測器 PVMI-2TE系列采用光學浸沒的方式改善器件的參數(shù),以達到好的性能和穩(wěn)定性。探測器在λopt入射時性能好。這是一款特別適用于在2 ~ 13 μm光譜范圍內工作的大感光面探測器。
MCT中紅外兩級TE冷卻光浸式多結光伏探測器總覽

PVMI-2TE系列是基于復雜的HgCdTe異質結構的兩級TE冷卻紅外多結光探測器,采用光學浸沒的方式改善器件的參數(shù),以達到好的性能和穩(wěn)定性。探測器在λopt入射時性能好。這是一款特別適用于在2 ~ 13 μm光譜范圍內工作的大感光面探測器。3°楔狀硒化鋅抗反射涂層(wZnSeAR)窗口,防止不必要的干擾效應。 

2 - 13 μm , MCT中紅外兩級TE冷卻光浸式多結光伏探測器 PVMI-2TE系列產品特點

● 可探測中紅外光波范圍2-13μm

● 可配專用前置放大器

● 帶有超半球微型砷化鎵透鏡實現(xiàn)光學浸沒,有效提升探測效率

● 帶有防反射涂層窗口鏡,避免不必要的干擾

● 帶有兩級TE冷卻,有效提高探測效率

封裝及尺寸

TO8型封裝外形尺寸圖

23.jpg

參量

數(shù)值

浸沒微型透鏡形狀

超半球形

光學區(qū)域面積AO;mm×mm

1×1

R,mm

0.8

A,mm

3.2±0.30

備注:

?—接收角度;

R—超半球微型透鏡半徑

A—2TE-TO8型封裝頂部下表面與焦平面的距離


2TE-TO8引腳定義

功能

PIN號

探測器

1,3

反向偏壓(可選)

1(-),3(+)

熱敏電阻

7,9

TE冷卻器供應

2(+),8(-)

底板接地

11

未使用

4,5,6,10,12



2TE-TO66封裝尺寸圖

備注:

?—接收角度;

R—超半球微型透鏡半徑

A—2TE-TO66型封裝頂部下表面與焦平面的距離


參量

數(shù)值

浸沒微型透鏡形狀

超半球形

光學區(qū)域面積AO;mm×mm

1×1

R,mm

0.8

A,mm

3.2±0.30


TO66引腳定義

功能

PIN號

探測器

7,8

反向偏壓(可選)

7(-),8(+)

熱敏電阻

5,6

TE冷卻器供應

1(+),9(-)

未使用

2,3,4

產品應用

● 醫(yī)學熱成像

● 紅外光譜分析

● 中紅外氣體吸收檢測

● 中紅外激光探測

技術參數(shù)

參數(shù)

探測器型號

PVMI-2TE-8

PVMI-2TE-10.6

有源元件材料

外延MCT異質結構

最佳波長λopt(μm)

8

10.6

相對響應強度D*   (λpeak),cm·Hz1/2/W

≥2.5×109

≥1.5×109

相對響應強度D* (λopt),cm·Hz1/2/W

≥2×109

≥1×109

電流響應度-光敏面長度乘積Ri(λopt)·L,A·mm/W

≥0.1

時間常數(shù)T,ns

≤4

≤3

電阻R,Ω

150-1000

90-350

元件工作溫度Tdet,K

~230

感光面尺寸A,mm×mm

1×1

封裝

TO8,TO66

接收角Φ

~36°

窗口

wZnSeAR


探測器光譜響應特性曲線

PVIM-2TE.jpeg

熱敏電阻特性曲線

PV-2TE1.jpeg

兩級TE冷卻參數(shù)表

參量

數(shù)值

Tdet , K

~230

Vmax , V

1.3

Imax , A

1.2

Qmax , W

0.36


抗反射涂層窗口光譜透過率曲線

5.png


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