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詳細摘要： WGD-3/5組合式多功能光柵光譜儀實驗內容：1、吸收光譜測量：可分析被測物質（氣體、液體、固體）進行吸收光譜2、發射光譜測量：測量發射光源的光譜特性3、熒光光...

詳細摘要： LRS-2/3激光拉曼光譜儀是我公司自行設計的新產品，具有結構簡單、便于調整及測量、靈敏度高、穩定性好、價格低廉等優點。適用于科研院所、高等院校物理實驗室和化學...

詳細摘要： GP20Na-Ⅱ低壓鈉燈GP20Hg-Ⅱ低壓汞燈電抗式光源，發光效率高，噪聲小，低發熱燈管壽命長。輸出波長589.0nm 589.6nm高度可以升降，鋁制燈罩，...

詳細摘要： GY-3紅外光源（瓷土棒）說　　明 :是于4000-400cm-1波段的特種光源，有電源供電，配有聚光和調制裝置。與WGD-4型光柵光譜儀組合，可測定紅外輻射源...

詳細摘要： GY-2氘燈、溴鎢燈（12V30W）電源裝置保證了氘燈和溴鎢燈的穩定供電，兩種燈可隨意轉換、結構緊湊、聚焦性能好，是紫外-可見-近紅外的理想光源與WGD-3型光...

詳細摘要： GY-1∕1A溴鎢燈（12V30W）有直流12v穩壓電源供電、結構緊湊、光能強、是理想的可見-近紅外光源。與WGD-3、WGD-4型光柵光譜儀配套，也可單獨使用...

詳細摘要： CV-5000型電容電壓特性測試儀在集成電路特別是MOS電路的生產和開發研制中，MOS電容的C-V測試是極為重要的工藝過程監控測試手段，通過C-V測試達到優化生...

詳細摘要： CV-2000型電容電壓特性測試儀作為組成半導體器件的基本結構的PN結具有電容效應（勢壘電容）。加正向偏壓時，PN結勢壘區變窄，勢壘電容變大；加反向偏壓時，PN...

詳細摘要： LT-2型單晶少子壽命測試儀是參考美國 A.S.T.M 標準而設計的用于測量硅單晶的非平衡少數載流子壽命。半導體材料的少數載流子壽命測量，是半導體的常規測試項目...

詳細摘要： PN-12型導電類型鑒別儀采用整流法（也稱三探針法）和溫差法（也稱冷熱探筆法來判斷單晶（或多晶）硅的導電類型（N型或P型），用N型和P型顯示屏直接顯示單晶（或多...

詳細摘要： PN-30型導電類型鑒別儀采用整流法（也稱三探針法）和溫差法（也稱冷熱探筆法來判斷單晶（或多晶）硅的導電類型（N型或P型），用N型和P型顯示屏直接顯示單晶（或多...

詳細摘要： RTS-1345型全自動四探針測試系統可對樣品進行單點、五點、九點、多點、直徑掃描、面掃描等模式的全自動測試；屏蔽測試，*消除光線對樣品測試的影響，保證測量的準...

詳細摘要： ST-21L型方塊電阻測試儀采用大規模集成電路作為儀器的主要部分，測量準確穩定，低功耗；以大屏幕LCD顯示讀數，直觀清晰；采用單個電池供電，帶電池欠壓指示；體積...

詳細摘要： ST-21H型方塊電阻測試儀是一種依照類似的國家標準和美國A.S.T.M標準，專門測量半導體薄層電阻（表面電阻）的新型儀器，可用于測量一般半導體材料、導電薄膜（...

詳細摘要： ST-21型方塊電阻測試儀以大規模集成電路為主要核心；用基準電源和運算放大器組成高精度穩流源；帶回路有效正常指示電路；并配以大型LCD顯示讀數，使儀器具有體積小...

詳細摘要： RTS-3型手持式四探針測試儀測量范圍寬、精度高、穩定性好、結構緊湊、易操作的手持式設計；體積僅為：185mm（長）*90mm（寬）*30mm（高）； 重量：3...

詳細摘要： RTS-2/RTS-2A型便攜式四探針測試儀是運用四探針測量原理的多用途綜合測量設備。該儀器按照單晶硅物理測試方法國家標準并參考美國 A.S.T.M 標準而設計...

詳細摘要： RTS-11型金屬四探針測試儀于測試低阻金屬材料電阻率及方塊電阻測量范圍：電阻率：10-7～10-2Ω.cm； 方塊電阻：10-6～10-1Ω/□；是運用四探針...

詳細摘要： RTS-5型雙電測四探針測試儀測試程序控制四探針測試儀進行測量并采集測試數據，把采集到的數據在計算機中加以分析，然后把測試數據以表格，圖形直觀地記錄、顯示出來。...

詳細摘要： RTS-9型雙電測四探針測試儀采用了四探針雙電測組合（亦稱雙位組合）測量新技術,將范德堡測量方法推廣應用到直線四探針上,利用電流探針、電壓探針的變換，在計算機控...