產(chǎn)品分類品牌分類
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塞貝克系數(shù)電阻測(cè)試儀 先進(jìn)功能材料電測(cè)綜合測(cè)試系統(tǒng)- 絕緣電阻劣化(離子遷移)評(píng)估系統(tǒng) 儲(chǔ)能新材料電學(xué)綜合測(cè)試系統(tǒng) 半導(dǎo)體封裝材料真空探針臺(tái) 空間電荷測(cè)試系統(tǒng) 電容器溫度特性評(píng)估系統(tǒng) 高頻高壓絕緣電阻、介電 多通道極化裝置 鐵電分析儀 高壓功率放大器 絕緣電阻率測(cè)試儀 高低溫冷熱臺(tái)測(cè)試系統(tǒng) 50點(diǎn)耐壓測(cè)試儀 電壓擊穿測(cè)定儀 耐電弧試驗(yàn)儀 探針臺(tái) 漏電起痕試驗(yàn)儀 多通道介電與電阻測(cè)試系統(tǒng)
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激光測(cè)振儀 傳感器多功能綜合測(cè)試系統(tǒng) 先進(jìn)功能材料電測(cè)綜合測(cè)試系統(tǒng) 長(zhǎng)期耐腐蝕老化試驗(yàn)平臺(tái)- 高電場(chǎng)介電、損耗、漏電流測(cè)試系統(tǒng) 阻抗分析儀 鐵電綜合材料測(cè)試系統(tǒng) 鐵電分析儀 高壓功率放大器 D33壓電系數(shù)測(cè)試儀 高溫介電溫譜測(cè)試儀 熱釋電測(cè)試儀 TSDC熱刺激電流測(cè)試儀 高壓極化裝置 高低溫冷熱臺(tái) 簡(jiǎn)易探針臺(tái) 高溫四探針測(cè)試儀 多通道電流采集系統(tǒng) 高真空退火爐 電學(xué)綜合測(cè)試系統(tǒng) 高溫管式爐測(cè)試儀 漆包線擊穿耐壓試驗(yàn)儀 電化學(xué)遷移測(cè)試系統(tǒng) 水平垂直燃燒測(cè)定機(jī) 陶瓷材料閃燒試驗(yàn)裝置 導(dǎo)通電評(píng)估系統(tǒng) 差熱分析儀 醫(yī)用接地電阻
壓接型IGBT器件封裝的電熱力多物理量均衡調(diào)控方法
1. 高壓IGBT器件封裝絕緣測(cè)試系統(tǒng)
針對(duì)高壓IGBT器件內(nèi)部承受的正極性重復(fù)方波電壓以及高溫工況,研制了針對(duì)高壓IGBT器件、芯片及封裝絕緣材料絕緣特性的測(cè)試系統(tǒng)(如圖1所示),可實(shí)現(xiàn)電壓波形參數(shù)、溫度和氣壓的靈活調(diào)控,用于研究電壓類型(交、直流、重復(fù)方波電壓)、波形參數(shù)、氣體種類、氣體壓力等因素對(duì)絕緣特性,具備放電脈沖電流測(cè)量、局部放電測(cè)量、放電光信號(hào)測(cè)量、漏電流測(cè)量及紫外光子測(cè)量等功能(如圖2所示),平臺(tái)相關(guān)參數(shù):頻率:DC~20kHz,電壓:0~20kV,上升沿/下降沿:150ns可調(diào),占空比:1%~99%,溫度:25℃~150℃,氣壓:真空~3個(gè)大氣壓。
2.壓接型IGBT器件并聯(lián)均流實(shí)驗(yàn)系統(tǒng)
針對(duì)高壓大功率壓接型IGBT器件內(nèi)部的芯片間電流均衡問題,研制了針對(duì)壓接型IGBT器件的多芯片并聯(lián)均流實(shí)驗(yàn)系統(tǒng)(如圖3所示),平臺(tái)具有靈活調(diào)節(jié)IGBT芯片布局,柵極布線,溫度和壓力分布的能力,可開展芯片參數(shù)、寄生參數(shù)以及壓力和溫度等多物理量對(duì)壓接型IGBT器件在開通/關(guān)斷過程芯片-封裝支路瞬態(tài)電流分布影響規(guī)律的研究,以及瞬態(tài)電流不均衡調(diào)控方法的研究;平臺(tái)相關(guān)參數(shù):電壓:0~6.5kV,電流:0~3kA,溫度:25℃~150℃,壓力:0~50kN。
圖3 壓接型IGBT多芯片并聯(lián)均流實(shí)驗(yàn)
3.高壓大功率IGBT器件可靠性實(shí)驗(yàn)系統(tǒng)
隨著高壓大功率 IGBT 器件容量的進(jìn)一步提升,對(duì)其可靠性考核裝備在測(cè)量精度、測(cè)試效率等方面提出了挑戰(zhàn)。針對(duì)柔性直流輸電用高壓大功率 IGBT 器件的測(cè)試需求,研制了 90 kW /3 000 A 功率循環(huán)測(cè)試裝備和100V/200°C高溫柵偏測(cè)試裝備(如圖4所示)。功率循環(huán)測(cè)試裝備可針對(duì)柔性直流輸電中壓接型和焊接式兩種不同封裝形式的IGBT開展功率循環(huán)測(cè)試,最多可實(shí)現(xiàn)12個(gè)IGBT器件的同時(shí)測(cè)試。電流等級(jí)、波形參數(shù)、壓力均獨(dú)立可調(diào),功率循環(huán)周期為秒級(jí),極限測(cè)試能力可達(dá) 300 ms,最高壓力達(dá)220 kN,虛擬結(jié)溫測(cè)量精度達(dá)±1°C,導(dǎo)通壓降測(cè)量精度達(dá)±2mV。高溫柵偏測(cè)試裝備可實(shí)現(xiàn)漏電流和閾值電壓的實(shí)時(shí)在線監(jiān)測(cè),最多可實(shí)現(xiàn)32個(gè)IGBT器件的同時(shí)測(cè)試。
4. 壓接器件內(nèi)部并聯(lián)多芯片電流及結(jié)溫測(cè)量方法及實(shí)現(xiàn)
高壓大功率壓接型IGBT器件內(nèi)部芯片瞬態(tài)電流及結(jié)溫測(cè)量是器件多物理量均衡調(diào)控及狀態(tài)監(jiān)測(cè)的基本手段,針對(duì)器件內(nèi)部密閉封裝以及密集分布鄰近支路引起的干擾問題,提出了PCB羅氏線圈互電感的等效計(jì)算方法,實(shí)現(xiàn)了任意形狀PCB羅氏線圈繞線結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì),設(shè)計(jì)了針對(duì)器件電流測(cè)量的方形PCB羅氏線圈(如圖5所示),實(shí)現(xiàn)臨近芯片電流造成的測(cè)量誤差小于1%;針對(duì)器件內(nèi)部多芯片并聯(lián)芯片結(jié)溫測(cè)量,提出了壓接型IGBT器件結(jié)溫分布測(cè)量的時(shí)序溫敏電參數(shù)法,通過各芯片柵極的時(shí)序單獨(dú)控制(如圖6所示),在各周期分別進(jìn)行單顆IGBT芯片結(jié)溫的測(cè)量,進(jìn)而等效獲得一個(gè)周期內(nèi)各IGBT芯片的結(jié)溫分布。在此基礎(chǔ)上,完成了集成于高壓大功率器件內(nèi)部的多芯片并聯(lián)電流測(cè)試PCB羅氏線圈以及時(shí)序溫敏電參數(shù)測(cè)量驅(qū)動(dòng)板的設(shè)計(jì)(如圖7所示)。
5. 研制高壓大功率電力電子器件
面向電力系統(tǒng)用高壓大功率電力電子器件研制的需求,開展了芯片建模與篩選、芯片并聯(lián)電流均衡調(diào)控、封裝絕緣特性及電場(chǎng)建模以及器件多物理場(chǎng)調(diào)控等方面工作,相關(guān)成果支撐了電網(wǎng)公司能源互聯(lián)網(wǎng)研究院有限公司3.3kV/1500A、3.3kV/3000A以及4.5kV/3000A硅基IGBT器件的研制,并通過柔直換流閥用器件的應(yīng)用驗(yàn)證實(shí)驗(yàn),同時(shí)也支撐了世界shouge18kV 壓接型SiC IGBT器件的研制。