光刻工藝設備產品概述：
應用于3D封裝、LED、微機電系統、化合物半導體、功率器件等領域。
主要配置：自動對準、自動曝光、LED光源、機器視覺對準系統、高精度硅片承載臺、自動楔形誤差補償系統。
LED 光源：3波長任意配置，支持更多應用場景。
高分辨率、高均勻性；使用壽命長，維護簡便：
機器視覺對準系統：頂部和底部雙模式對準，大視野、高精度；4種照明光可選，工藝適應性強； 手動、自動模式自由切換。
光刻工藝設備技術參數：
| 掩模版 、硅片 | |
| 硅片尺寸 | 8"/ 6" |
| 硅片厚度 | max.10 mm |
| 掩模版尺寸 | 9" ×9"/ 7" ×7" (SEMI) |
| 掩模版厚度 | max.6.35 mm |
| 曝光模式 | |
| 接觸方式 | 軟接觸、硬接觸、真空接觸 |
| 曝光間隙 | 0~1000 μm |
| 間隙精度 | 1 μm |
| 曝光強度 | 0 ~ ≥40mw/cm 2 |
| 曝光鏡頭 | |
| 光源類型 | LED |
| 曝光波長 | 365nm，405nm， |
| 光強均勻性 | ≤4% 8" / ≤3% 6" |
| 分辨率 | 真空接觸≤1um |
| 硬接觸 ≤1.5μm | |
| 軟接觸≤2.2μm | |
| 間隙 ≤3.6μm | |
| 對 準 模 式 | |
| 頂部對準 | < ±1 μm |
| 可選配底部對準 | < ±2 μm |
| 頂部對準調焦范圍 | 5 mm |
| 底部對準調焦范圍 | 5 mm |
| 硅 片 承 載 臺 | |
| 運動范圍 | X：±5mmY：±5mmθ : ±5° |
| 分辨率 | 0.04 μm |
| 頂 部 對 準 鏡 頭 | |
| 移動范圍 | 6" 40~150mm |
| 8" 40~200 mm | |
| 底部對準鏡頭 | |
| 移動范圍 | 6" 40~150mm |
| 8" 40~200 mm | |
| 用 戶 界 面 | |
| Windows 10 | 可存儲工藝菜單 |
| 場務需求 | |
| 真空< -0.8 kPa ; 氮氣> 0.5 Mpa ; 壓縮空氣: 0.6~0.8 Mpa | |
| 供 電 需 求 | |
| 電壓: 230 V ± 10% | 頻率: 50~60 Hz |
| 尺 寸 重 量 | |
| 長 ×寬 ×: 1200 × 1000 mm | 高: 1973 mm重量 : ~ 400 kg |
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